이전 포스팅에 이어 계속!
< Übungsprozess >3일차) 접촉 형성 및 측정 장치 다루기
< Übungsprozess >
1코스 계측시스템론
– 엔지니어의 기본 능력 재현성 확인만들다!
분석 -> DOE -> 실험 -> 분석 -> …
– 측정 시스템은 테스트 패턴을 통해 실행됩니다. 프로세스 능력과 역량을 파악하는 요소가 됩니다.
– 금속 패드를 취하여 전압 및 전류 측정
– 측정 시스템
테스트 스테이션에서 웨이퍼와 직접 접촉,
기계를 연결에 연결
Parameter Analyzer LCR 미터로 측정.
– 사용한 측정 도구
– 왼쪽 Probe Station은 Wafer를 Chuck에 올려놓고 Probe로 사진을 찍어 모니터에서 Probe를 확인합니다.하는 곳이다
– 오른쪽 컨트롤 랙에서는 분석기 컨트롤(SW)의 모니터로 프로그램을 컨트롤하여 측정을 하였다.
다음 분석기는 직접 조정하지 않고 SW로 계속했습니다.
– 왼쪽 프로브 스테이션 속이는 사람그것은 말한다.
ⅰ 웨이퍼를 척 위에 놓고 진공을 만듭니다.
ⅱ 2개의 조절바퀴를 척 아래로 밀어 원하는 위치에 맞춥니다.
iii 프로브 팁에 부착된 다이얼을 움직여 미세 조정합니다.
ⅳ 금속 패드와 프로브 팁이 닿도록 표면을 살짝 긁어 바르게 연결합니다.
※ 반도체 파라미터 분석기(HP4145) – DC 분석기 ※
– 장치의 IV 커브 측정
※ 다주파수 LCR 미터(HP4284) ※
– 소자의 CV 커브 측정
– 누수 체크
: 먼저 open/short 테스트를 수행하여 측정 시스템 오류를 확인합니다.
=> 환경점검 후 영점점검, 프로브팁 및 케이블점검, 웨이퍼 ET 측정
3일차에는 웨이퍼 디바이스 생산 및 측정의 이론적인 내용을 배웠습니다!
넷째 날의 마지막 날에는 MOSCAP과 MOSFET에 대한 이론적 지식과 자체 제작 웨이퍼를 측정합니다.
감사해요